Научный журнал
Современные наукоемкие технологии
ISSN 1812-7320
"Перечень" ВАК
ИФ РИНЦ = 1,021

ВЛИЯНИЕ ВСТАВОК АРСЕНИДА ИНДИЯ НА ПОДВИЖНОСТИ ДВУМЕРНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ В КВАНТОВЫХ ЯМАХ ИНДИЙ-ГАЛЛИЙ-МЫШЬЯК, ВЫРАЩЕННЫХ НА ПОДЛОЖКАХ ФОСФИДА ИНДИЯ

Кульбачинский В.А. 1 Юзеева Н.А. 1 Овешников Л.Н. 1
1 Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова

В наногетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs, выращенных на подложках фосфида индия InP, двумерные электроны с высокой концентрацией ~2.1012 см–2 обладают высокой подвижностью уже при комнатной температуре и наиболее высокой дрейфовой скоростью насыщения электронов среди всех структур с квантовыми ямами InGaAs. Данные структуры активно применяются для создания СВЧ устройств миллиметрового и субмиллиметрового диапазона длин волн. Одним из путей дальнейшего увеличения подвижности электронов является увеличение доли индия в квантовой яме. Для реализации этого возможно применение квантовых ям неоднородных по составу, содержащих узкую вставку InAs.

Для изучения влияния ширины одиночной вставки арсенида InAs в квантовую яму In0.53Ga0.47As шириной 14,7 нм, согласованную по параметру кристаллической решетки с подложкой InP, на подвижности электронов были исследованы 4 образца: 1 – без вставки, 2 – с центральной вставкой InAs толщиной d = 1,8 нм, 3 – d = 3,14 нм и для сравнения 4 – квантовая яма InAs. Барьеры были In0.52Al0.48As, что также согласовано по параметру решетки с подложкой. В таких структурах отсутствуют механические напряжения. Все образцы были дельта-легированы кремнием. Измерения показали, что максимальная подвижность электронов наблюдается в образце 3 с широкой вставкой арсенида индия в центр квантовой ямы. Одна из причин этого уменьшение эффективной массы электронов при увеличении содержания индия в квантовой яме при наличии вставки.

Во всех образцах при температурах жидкого гелия наблюдались осцилляции магнетосопротивления – эффект Шубникова-де Гааза. При выбранном уровне легирования оказались заполнены две подзоны размерного квантования. Это дало возможность рассчитать электронные подвижности в каждой подзоне. Расчет также показал, что максимальная подвижность электронов наблюдается в образце 3.


Библиографическая ссылка

Кульбачинский В.А., Юзеева Н.А., Овешников Л.Н. ВЛИЯНИЕ ВСТАВОК АРСЕНИДА ИНДИЯ НА ПОДВИЖНОСТИ ДВУМЕРНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ В КВАНТОВЫХ ЯМАХ ИНДИЙ-ГАЛЛИЙ-МЫШЬЯК, ВЫРАЩЕННЫХ НА ПОДЛОЖКАХ ФОСФИДА ИНДИЯ // Современные наукоемкие технологии. – 2012. – № 12. – С. 52-52;
URL: http://www.top-technologies.ru/ru/article/view?id=31146 (дата обращения: 27.10.2020).

Предлагаем вашему вниманию журналы, издающиеся в издательстве «Академия Естествознания»
(Высокий импакт-фактор РИНЦ, тематика журналов охватывает все научные направления)

«Фундаментальные исследования» список ВАК ИФ РИНЦ = 1.074