Научный журнал
Современные наукоемкие технологии
ISSN 1812-7320
"Перечень" ВАК
ИФ РИНЦ = 1,021

ИССЛЕДОВАНИЕ С ПОМОЩЬЮ СЗМ ПОВЕРХНОСТИ GAAS, ОБРАБОТАННОЙ В НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ХИМИЧЕСКИ АКТИВНОЙ ПЛАЗМЕ МАГНЕТРОННОГО РАЗРЯДА

Беневоленский С.Б. Жалнова Е.В. Кубьяс П.В.
В настоящее время одной из научно-технических проблем в области нанотехнологии является разработка методов формирования и контроля атомно-гладкой поверхности различных полупроводниковых материалов. Одним из направлений решения этой проблемы является использование технологии обработки в низкотемпературной плазме. Как известно [1], для полирования поверхности арсенида галлия возможно использование технологии обработки в водородсодержащей низкотемпературной плазме.

Целью настоящей работы было исследование поверхности арсенида галлия, подвергнутого полировке в водородсодержащей низкотемпературной плазме магнетронного разряда, с помощью сканирующего зондового микроскопа Solver P47.

В качестве экспериментальных образцов были использованы подложки GaAs, имеющие поверхность после стандартной жидкостной полировки. Подготовка подложки арсенида галлия заключалась в том, что половина поверхности подложки покрывалась защитной маской из фоторезиста. После этого подложка подвергалась обработке в течение 10 минут в низкотемпературной плазме.

Изучение поверхности после обработки в плазме проводилось на микроскопе Solver Р47 с использованием "полуконтактного" метода в режиме, представленном в виде листинга в табл.1. Перед проведением измерений на микроскопе фоторезистивная маска удалялась. Сложность эксперимента заключалась в том, чтобы в изображении находилась именно граница между двумя областями. Это обеспечивалось путем пошагового уменьшения области сканирования.

Таблица 1. Изучение поверхности после обработки в плазме проводилось на микроскопе Solver Р47 с использованием "полуконтактного" метода в режиме

SFM NT-MDT v8.70

SCAN : Height Direction=+X+

FBin : MAG FBGain= 1.500

SPnt = 5.068 nA BiasV = 0.000 v

VEL = 32710 A/s Time =146.15 s

Step = 113.7 A NX= 256 NY= 256

ADC: x1, LP(kHz)= 3.1, Aver= 7

Modulation: Probe

264.652 kHz, 0.202v, x1 , Phase= 0

SD: >NF , Harmonic=1 , Gain=2.0

На рис.1 представлены результаты исследований поверхности. Как видно из представленного изображения, полученного на СЗМ, поверхность после обработки в плазме характеризуется значительно меньшими показателями шероховатости. Амплитуда выступов уменьшилась в 2 раза.

p

Рисунок 1. Графическое представление результатов исследования поверхности.

Таким образом, исследование поверхности арсенида галлия, обработанного в низкотемпературной плазме, с помощью СЗМ показывает возможность получения атомарно-гладкой поверхности.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

  1. Беневоленский С.Б., Истомина Н.Л. Реактивное ионно-плазменное травление арсенида галлия в плазме водорода с использованием магнетронного разряда. - Известия ВУЗов, Сер. Электроника. - 1996. - №1-2 С.111-113.

Библиографическая ссылка

Беневоленский С.Б., Жалнова Е.В., Кубьяс П.В. ИССЛЕДОВАНИЕ С ПОМОЩЬЮ СЗМ ПОВЕРХНОСТИ GAAS, ОБРАБОТАННОЙ В НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ХИМИЧЕСКИ АКТИВНОЙ ПЛАЗМЕ МАГНЕТРОННОГО РАЗРЯДА // Современные наукоемкие технологии. – 2005. – № 5. – С. 96-97;
URL: http://www.top-technologies.ru/ru/article/view?id=22975 (дата обращения: 27.10.2020).

Предлагаем вашему вниманию журналы, издающиеся в издательстве «Академия Естествознания»
(Высокий импакт-фактор РИНЦ, тематика журналов охватывает все научные направления)

«Фундаментальные исследования» список ВАК ИФ РИНЦ = 1.074