Проведены экспериментальные и теоретические исследования скоростей распространения упругих ультразвуковых волн и дислокационного внутреннего трения в ионных диэлектриках при всестороннем сжатии и после радиационного воздействия, используя методы физической акустики и динамической теории кристаллических решеток. Экспериментальные исследования (эхо-импульсным методом) скоростей продольных и поперечных упругих волн в кристаллографических направлениях [100], [110] и [111] в монокристаллах галогенидов щелочных металлов показали, что возможны следующие соотношения между ними (в области давлений от атмосферного до давления полиморфного перехода из фазы B1 в фазу В2): v _l[100] > v _l[110] > v _l[111] для пр°дольных и v _t[100] < v _t[111] < v _t[110] поперечных упругих волн. Исследования изменений фазовых и групповых скоростей в произвольном направлении при всестороннем сжатии для ионных кристаллов показали: с ростом всестороннего сжатия величины фазовых и групповых скоростей квазипродольной волны возрастают во всех направлениях; для квазипоперечной волны наблюдается увеличение фазовой скорости в одних направлениях и уменьшение в других; для галогенидов калия были установлены направления, в которых фазовая скорость квазипоперечной волны не меняется при сжатии. Теоретические расчеты скоростей упругих волн подвергнутых всестороннему сжатию ионных кристаллов были выполнены по моделям решетки с деформируемыми ионами, используя экспоненциальную и степенную аппроксимации короткодействующих сил. В области малых деформаций сжатия использование обеих аппроксимаций сил приводит к практически совпадающим результатам расчета. В области больших деформаций расхождение между вычисленными в разных аппроксимациях короткодействующих сил значениями скоростей упругих волн может достигать 15-20%. Для кристаллов, имеющих фактор упругой анизотропии А > 1, соотношения между модулями Юнга и сдвига в указанных кристаллографических направлениях следующие: Е₁₀₀ < E₁₁₀ < E₁₁₁ и G₁₀₀ > G₁₁₀ >G₁₁₁. В случае А < 1 Е₁₀₀ > E₁₁₀ > E₁₁₁ и G₁₀₀ < G₁₁₀ < G₁₁₁.

Экспериментальные исследования дислокационного внутреннего трения (ВТ) (зависимости "декремент затухающих колебаний δ - амплитуда деформации ε₀") выполнены на пластически деформированных необлученных и облученных ионных монокристаллах (метод составного пьезоэлектрического вибратора). Облучение образцов рентгеновскими лучами осуществлялось на установке УРС-70 (время облучения t = 3 ч); гамма - квантами - на установке ⁶⁰Со (поглощенная доза D = 1,7 МДж/кг, t = 10 ч); низкоэнергетическими электронами - на линейном ускорителе У-10 (D = 0,12.1,4 МДж/кг). Зависимости δ (ε₀) и функция распределения дислокаций по длинам N(L) в области амплитудно-зависимого ВТ степенные для необлученных и облученных кристаллов. С ростом дозы облучения увеличивается энергии связи дислокации с закрепляющими ее центрами. Были высказаны предположения: в необлученных кристаллах центрами торможения дислокаций являются диполи «примесь-вакансия»; при рентгеновском и гамма-облучении - междоузельные молекулы галогена и их комплексы; при электронном облучении - дивакансии и их комплексы.