Научный журнал
Современные наукоемкие технологии
ISSN 1812-7320
"Перечень" ВАК
ИФ РИНЦ = 0,940

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ПОВЕРХНОСТНЫЕ СВОЙСТВА GaAs, Si и Ge

Блиев А.П. Наконечников А.В.
лимфоидный узелок
морфогенез
Возбуждение и релаксация электронов в твердых телах играют ключевую роль в многообразии важных физических явлений, включая взаимодействие молекул с поверхностью, фотохимию поверхностей, перенос электрического заряда и теплоты, которые в существенной степени влияют на работу электронных и оптоэлектронных приборов. В данной работе было исследовано влияние непрерывного лазерного излучения (ЛГН-109, Р=2мВт и λ= 0.83 мкм) на реальные поверхности GaAs, Si и Ge.

В экспериментах использовались полированные и протравленные пластинки Si (111) n=1017 см-3, GaAs (111) n=1019 см-3, Ge (111) n=1014 см-3 электронного типа проводимости. Работу выхода измеряли методом вибрирующего конденсатора (метод Кельвина). Для измерения фотопроводимости использовался универсальный монохроматор УМ-2. Излучение лазера модулировалось с частотой 700 Гц. В ходе проведенного эксперимента было обнаружено, что лазерное облучение поверхности полупроводников вызывает снижение работы выхода с поверхности всех исследуемых полупроводников. Была также изучена временная зависимость изменения термодинамической работы выхода. В первые минуты после включения лазера наблюдалось постепенное уменьшение работы выхода. При дальнейшем облучении, значение работы выхода оставалось практически неизменным. Затем прекращалось воздействие лазерного облучения на исследуемые поверхности, при этом работа выхода для всех образцов снова увеличивалась, достигая своего первоначального значения. Наблюдаемое после прекращения лазерного облучения поверхности полупроводников увеличение термодинамической работы выхода объясняется, очевидно, происходящей адсорбцией из газовой среды. Уменьшение термодинамической работы выхода связывается с явлением фотодесорбции. Значительное уменьшение работы выхода на кремнии по сравнению с остальными образцами объясняется наличием на поверхности кремния окисной пленки большей толщины, чем на поверхностях германия или арсенида галлия. Сравнение спектров поверхностной фотопроводимости для GaAs (111), Si (111) и Ge (111) до и после лазерного облучения свидетельствует не только об изменении интенсивности поверхностной фотопроводимости, но и о появлении новых пиков с энергиями меньшими ширины запрещенной зоны. При прекращении лазерного облучения поверхности спектральные характеристики возвращаются к исходным.


Библиографическая ссылка

Блиев А.П., Наконечников А.В. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ПОВЕРХНОСТНЫЕ СВОЙСТВА GaAs, Si и Ge // Современные наукоемкие технологии. – 2005. – № 1. – С. 15-15;
URL: https://top-technologies.ru/ru/article/view?id=21832 (дата обращения: 28.03.2024).

Предлагаем вашему вниманию журналы, издающиеся в издательстве «Академия Естествознания»
(Высокий импакт-фактор РИНЦ, тематика журналов охватывает все научные направления)

«Фундаментальные исследования» список ВАК ИФ РИНЦ = 1,674