В статье рассматриваются вопросы применения перспективных силовых приборов на основе карбида кремния для построения преобразовательных блоков, в частности для энергопитания и управления уличными осветительными линиями. В начале статьи приводятся сведения об основных свойствах SIC-транзисторов, сравниваются силовые транзисторы из различных полупроводниковых материалов, поясняются перспективы использования SIC-транзисторов для увеличения энергетических и частотных характеристик энергосистем. Далее рассматривается микросхема специализированного драйвера управления TLP5214A для управления IGBT-транзистором/Power MOSFET-транзистором. Приводится внутренняя структура драйвера, поясняются элементы внутренней структуры и показывается принципиальная схема включения драйвера для управления нижним транзистором полумоста с пояснениями некоторых компонентов схемы. В качестве примера использования драйвера TLP5214A приводится структура построения трехфазного инвертора на SIC-транзисторах TW070J120B с микроконтроллерным управлением, дается расчет входной цепи инвертора и выходных индуктивностей. Далее в статье в качестве современного компонента приводятся сведения о силовом SIC-модуле SK80MB120CR03TE1 (транзисторный полумост) компании SEMIKRON и показываются результаты моделирования топологии на основе этого модуля. Практическое применение данных SIC-компонентов может найти в «интеллектуальных» и энергоэффективных системах уличного освещения с использованием солнечной энергии. Приводится структурная схема такой системы и поясняются ее элементы.

The article discusses the application of promising power devices based on silicon carbide for the construction of conversion units, in particular, for power supply and control of street lighting lines. At the beginning of the article, information about the main properties of SIC transistors is given, power transistors made of various semiconductor materials are compared, and the prospects for using SIC transistors to increase the energy and frequency characteristics of power systems are explained. Next, a dedicated TLP5214A driver chip is discussed for driving an IGBT / Power MOSFET. The internal structure of the driver is given, the elements of the internal structure are explained, and a schematic diagram of switching on the driver for controlling the lower half-bridge transistor is shown, with explanations of some components of the circuit. As an example of using the TLP5214A driver, the structure of building a three-phase inverter on SIC transistors TW070J120B with microcontroller control is given, the input circuit of the inverter and the output inductances are calculated. Further in the article, as a modern component, information about the power SIC-module SK80MB120CR03TE1 (transistor half-bridge) from SEMIKRON is given and the results of topology modeling based on this module are shown. Practical application of these SIC-components can be found in «smart» and energy efficient street lighting systems using solar energy. A structural diagram of such a system is given, and its elements are explained.