Методами ДТА и РФА, а также измерением микротвердости и ЭДС концентрационных относительно медного электрода цепей с твердым электролитом изучена система Cu2GeS3-Cu2GeSе3. Построена фазовая диаграмма а также графики концентрационных зависимостей микротвердости и параметров кристаллической решетки. Показано, что система является квазибинарной и характеризуется образованием непрерывного ряда твердых растворов (γ).
The system Cu2GeS3-Cu2GeSe3 has been investigated using DTA, XRD, with the aid of microhardness and EMF measurements with solid electrolyte applied to equilibrated alloys. The phase diagram and plots of the concentration dependences of microhardness and lattice parameters are constructed. It is shown that the system is quasi-binary and characterized by the formation of a continuous fields solid solutions (γ).
1. Бабанлы М.Б., Юсибов Ю.А., Абишев В.Т. Трехкомпонентные халькогениды на основе меди и серебра. – Баку: Изд-во БГУ, 1993. – 342 с.
2. Эмсли Дж. Элементы / пер. с англ. – М.: Мир, 1993. – 256 с.
3. Babanly M.B., Yusibov Yu.A., Babanly N.B. The EMF method with solid-state electrolyte in the thermodynamic investigation of ternary copper and silver chalcogenides / Electromotive force and measurement in several systems. Ed.S.Kara. Intechweb.Org. 2011. – PP.57-78.
4. Таблица 1
5. Результаты ДТА, микротвердость и параметры кристаллической решетки фаз в системе Cu2GeS3-Cu2GeSе3
6. Состав,
7. мол% Cu2GeSе3 Термические эффекты, К Hm Е, мВ (300К) Параметры тетрагональной решетки, Å
8. а с
9. 0 (Cu2GeS3) 1215 370 443 3.7676 5.2154
10. 10 1190-1205 380 - - -
11. 20 1170-1195 400 434 3.7935 5.2619
12. 40 1158-1165 410 427 3.8355 5.3218
13. 60 1105-1132 360 418 3.8738 5.3783
14. 80 1075-1100 320 408 3.9059 5.4416
15. 90 1063-1075 280 - - -
16. 100 1054 230 400 3.9465 5.4888
17. Рис. 2. Порошковые дифрактограммы некоторых сплавов системы Cu2GeS3-Cu2GeSе3
4. Cho J.Y., Shi X., Salvador J.R., Meisner G.P. et al. Thermoelectric properties and investigations of low thermal conductivity in Ga-doped Cu2GeSe3 // Phys.Rev. – 2011. – V. 84.
5. Khanafer M., Rivet J. and Flahaut J. Etude du systeme Cu2S-GeS2 // Bull.Soc.Chim.Fr. – 1973. – V.3. – PP.859-862.
6. Lychmanyuk O.S., Gulay L.D., Olekseyuk I.D., Stepien-Damm Yu. et al. of the Ho2X3-Cu2X-ZX2 (X =S, Se; Z = Si, Ge) systems // Polish. J.Chem. – 2008. – V.81. – PP.353-367.
7. Marcano G., Bracho D.B., Rincon C., Perez G.S., Nieves L. On the temperature dependence of the electrical and optical properties of Cu2GeSe3 // J.Appl.Phys. – 2000. – V.88. – PP.822-828.
8. Marcano G., Ieves L. Temperature dependence of the fundamental absorption edge in Cu2GeSe3 // J. Appl. Phys. – 2000. – V.87(3). – PP.1284-1286.
9. Parasyuk O.V., Piskach L.V., Romanyuk Y.E., Olekseyuk I.D. et al. Phase relations in the quasi-binary Cu2GeS3–ZnS and quasi-ternary Cu2S–Zn(Cd)S–GeS2 systems and crystal structure of Cu2ZnGeS4 // J. Alloys Compd. – 2005. – V.397. – PP.85-94.
10. Tomashik V. Copper-germanium-selenium // Ternary Alloys. VCH. – 2005. – V.2. – PP.288-299.