В работе показаны результаты численных расчетов и экспериментальных измерений параметров поверхностных акустических волн, распространяющихся в гетероэпитаксиальных тонкопленочных пьезоструктурах AlN/Al2O3 и AlN/Si, предназначенных для создания на их основе СВЧ акустоэлектронных устройств. Рассчитаны и измерены скорость волны и коэффициент электромеханической связи в зависимости от относительной толщины пленки AlN, выращенной на подложках кремния Si(111) и C-ориентированного сапфира Al2O3.

In this paper are shown results of numerical calculations and experimental measurements of parameters of the surface acoustic waves (SAW) extending in geteroepitaksial thin-film piezostructures of AlN/Al2O3 and AlN/Si for creation on their basis HF SAW devices. The wave velocity and the electromechanical coupling coefficient versus the frequency-thickness product of a single layer of AlN deposited on Si(111) or C-oriented Al2O3 sapphire substrates are calculated and measured.