Для получения материала, пригодного для изготовления фотоэлектрических преобразователей тока (ФЭП), из металлургического кремния, производимого руднотермической плавкой в электродуговых печах, необходимо использовать особо чистые шихтовые материалы – кварц, кварцит и углеродистые восстановители. После ковшевого рафинирования (например, продувкой кислородом) дальнейшего снижения примесей можно достичь путём выращивания мультикристаллического кремния по методу Бриджмена-Стокбаргера с одновременным формированием столбчатой структуры кристаллитов. Проведённые исследования показали значительное влияние параметров кристаллизации на структуру и основные электрофизические характеристики полученных образцов мультикремния.

Need to use a high-purity charge (chemical high-quality quartz, quartzite and carbon reductant) and bucket refining (by oxygen, for example) for production of photoelectric converters basic material from metallurgical silicon made under smelting in electric arc furnaces. The further impurities content decreasing may be reached by growthing of multicrystalline silicon under Bridgeman-Stockbarger process with simultaneous formation of columnar crystals. The carried out investigations showed the considerable influence of crystallization parameters for structure and main electric-and-physical characteristics of made multicrystalline silicon samples.