Scientific journal
Modern high technologies
ISSN 1812-7320
"Перечень" ВАК
ИФ РИНЦ = 0,940

Выращивание монокристаллов Bi4Ge3O12, Bi12GeO20 и Bi12SiO20 ведут методом Чохральского. При этом из-за высокой агрессивности Bi2O3 в жидком состоянии в качестве контейнеров (тиглей) используют металлическую платину. Но и в этом случае происходит неконтролируемое загрязнение растущих кристаллов платиной, поскольку она растворяется в расплавах на основе Bi2O3. Для анализа таких процессов необходимо исследовать особенности межфазного взаимодействия расплавов на основе Bi2O3 с Pt. Кроме решения этой задачи, важной для практики выращивания монокристаллов оксидных соединений, подобные исследования позволяют получить сведения о поверхности раздела твердое - жидкое. При этом нужно учесть, что закономерности смачивания твердых тел расплавами, состоящими из нескольких компонентов, изучены недостаточно.

Смачивание Pt расплавами на основе Bi2O3 изучали методом лежащей капли в атмосфере аргона. Установлено, что краевые углы смачивания (Θ) платины такими расплавами с ростом температуры уменьшаются и описываются линейным уравнением

Θ = (b ± Δb) - (a ± Δa) (Т - То),                                       (1)

где а и b - коэффициенты, То - нижний предел исследованных температур. Эти данные приведены в таблице в виде параметров уравнения (1).

Таблица 1. Параметры уравнения

С Ga2O3, мол. %

Т, К

(a ± Δa)·102

b ± Δb

То, К

11

15

20

25

1180-1501

1235-1498

1302-1499

1350-1504

8,95±0,14

7,93±0,38

8,01±0,19

10,20±0,18

58.72±0,27

55,52±0,38

57,57±0,19

59,58±0,15

1180

1235

1302

1350

С La2O3, мол. %

Т, К

(a ± Δa)·102

b ± Δb

То, К

10

20

1210-1498

1357-1506

6,35±0,17

13,03±0,26

53,74±0,26

59,01±0,21

1210

1357

С Fe2O3, мол. %

Т, К

(a ± Δa)·102

b ± Δb

То, К

10

20

1103-1388

1113-1393

8,9± 0,01

8,88±0,01

63,49±0,11

54,13±0,13

1103

1113

С TiO2, мол. %

Т, К

(a ± Δa)·102

b ± Δb

То, К

0

10

20

1103-1490

1243-1346

1288-1381

8,85±0,01

7,21±0,10

6,14±0,23

57,05±0,17

59,15±0,22

64,46±0,27

1103

1243

1288

Подобные результаты получены и для систем Bi2O3-GeO2 и Bi2O3-SiO2.